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J-GLOBAL ID：200903067543886320

半導体超微粒子

Inventor： 大津 猛 ,  齋藤 康子
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 長谷川 曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001259260
Publication number (International publication number)：2003064282
Application date： Aug. 29, 2001
Publication date： Mar. 05, 2003
Summary：

【要約】【課題】 良好な溶媒への溶解性、ポリマー中での分散性、優れた塗膜性、及び該半導体結晶の量子効果による制御された吸発光特性を兼ね備えた半導体超微粒子を提供する。【解決手段】 ポリアルキレングリコール残基がアミノ基を介して半導体結晶表面に結合されてなる半導体超微粒子。

Claim (excerpt)：

ポリアルキレングリコール残基がアミノ基を介して半導体結晶表面に結合されてなる半導体超微粒子。

IPC (2)：

C09C 3/08 ,  C07C229/12

FI (2)：

C09C 3/08 ,  C07C229/12

F-Term (21)：

4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB78 ,  4H006BP10 ,  4H006BT12 ,  4J037AA02 ,  4J037AA04 ,  4J037AA08 ,  4J037AA13 ,  4J037AA17 ,  4J037CB07 ,  4J037CB10 ,  4J037CB15 ,  4J037CB16 ,  4J037CC25 ,  4J037DD02 ,  4J037DD05 ,  4J037EE02 ,  4J037EE22 ,  4J037FF02 ,  4J037FF15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ポリエチレングリコール化金属、金属酸化物または半導体超微粒子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-007476   Applicant：科学技術振興事業団