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J-GLOBAL ID：200903067555474485

発光材料及びその製造方法並びにこれを用いた発光素子

Inventor： 山口 健志 ,  水嶋 一樹 ,  佐々 紘一
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998140999
Publication number (International publication number)：1999340499
Application date： May. 22, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】 発光効率が高く、閾値電流の低い発光材料を各種の光ファイバに適合するように発光波長を調整でき、この発光材料を簡便にかつ安価に製造する。【解決手段】 p型アモルファスシリコン14中に粒径がナノメートルオーダーのβ-鉄シリサイド半導体粒子13がドット状に分散した発光材料である。n型半導体基板11a上にp型アモルファスシリコン層14aを形成し、このp型アモルファスシリコン層14a上にβ-鉄シリサイド半導体粒子13をドット状に堆積し、このβ-鉄シリサイド半導体粒子13を埋めるようにp型アモルファスシリコン層14aを形成する。β-鉄シリサイド半導体粒子の堆積とp型アモルファスシリコン層の形成を少なくとも1回繰返すことが好ましい。半導体基板11a上にこの発光材料を発光層15aを形成し、電極16、17を設けることにより発光素子20aとなる。

Claim (excerpt)：

p型若しくはn型アモルファスシリコン(14)又はp型若しくはn型アモルファス炭化ケイ素中に粒径がナノメートルオーダーのβ-鉄シリサイド半導体粒子(13)がドット状に分散した発光材料。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• β-FeSi2材料およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-125271   Applicant：株式会社日立製作所