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J-GLOBAL ID：200903067596996291

新規なナノポーラス炭素構造を有する吸蔵材料、及びその製造法

Inventor：
王 正明

About 王 正明

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廣津 孝弘

About 廣津 孝弘

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山岸 美貴

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楚 英豪

About 楚 英豪


Applicant, Patent owner：
独立行政法人科学技術振興機構

About 独立行政法人科学技術振興機構

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独立行政法人産業技術総合研究所

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Agent (1)： 佐伯 憲生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005034156
Publication number (International publication number)：2006219337
Application date： Feb. 10, 2005
Publication date： Aug. 24, 2006
Summary：
【課題】層面間距離が通常のグラファイトよりも拡大されたナノポーラス炭素構造を有する吸蔵材料の製造方法を提供。【解決手段】(1)グラファイトを酸化してグラファイト酸化物とする工程(2)グラファイト酸化物の層面間距離を固定化する工程(3)固定化された層面間距離を有する炭素の層を維持するために炭素の層と炭素の層の間にヒドロキシ炭化水素化合物を添加する工程(4)層面間距離を固定化している材料と前記(3)の工程で添加したヒドロキシ炭化水素化合物を反応させる工程(5)未反応のヒドロキシ炭化水素化合物を除去する工程(6)残存しているヒドロキシ炭化水素化合物を炭化処理して炭化処理物にする工程(7)残存する層面間距離を固定化している材料を除去する工程によりナノポーラス炭素構造材料を製造。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
(1)グラファイトを酸化してグラファイト酸化物とする工程、(2)次いでこのグラファイト酸化物の層面間距離を固定化する工程、及び(3)固定化された層面間距離を有する炭素の層を維持するために炭素の層と炭素の層の間にヒドロキシ炭化水素化合物を添加する工程、(4)層面間距離を固定化している材料と前記(3)の工程で添加したヒドロキシ炭化水素化合物を反応させる工程、(5)未反応のヒドロキシ炭化水素化合物を除去する工程、(6)残存しているヒドロキシ炭化水素化合物を炭化処理して炭化処理物にする工程、及び(7)残存する層面間距離を固定化している材料を除去する工程、からなる層面間距離が通常のグラファイトよりも拡大された炭素の層を有し、かつそれらの層が炭化処理物により維持されていることを特徴とするナノポーラス炭素構造を有する吸蔵材料の製造方法。
IPC (3)：
C01B 31/04 ,  B01J 20/20 ,  B01J 20/30
FI (3)：
C01B31/04 101Z ,  B01J20/20 A ,  B01J20/30
F-Term (25)：
4G066AA04B ,  4G066AA10D ,  4G066AB06A ,  4G066AB18A ,  4G066BA31 ,  4G066BA36 ,  4G066CA51 ,  4G066DA04 ,  4G066FA17 ,  4G066FA23 ,  4G066FA38 ,  4G146AA28 ,  4G146AC04B ,  4G146AC08B ,  4G146AC17B ,  4G146AC28A ,  4G146AC28B ,  4G146AD11 ,  4G146AD32 ,  4G146BA02 ,  4G146BA12 ,  4G146CB14 ,  4G146CB24 ,  4G146CB35 ,  4G146DA02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (12)
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Cited by examiner (2)

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