Pat

J-GLOBAL ID：200903067611669600

ウエハエッチング方法

Inventor： 柳澤 道彦 ,  田中 誓 ,  飯田 進也 ,  堀池 靖浩
Applicant, Patent owner： スピードファム・アイペック株式会社 ,  堀池 靖浩
Agent (1)： 塚原 孝和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999132032
Publication number (International publication number)：2000068256
Application date： May. 12, 1999
Publication date： Mar. 03, 2000
Summary：

【要約】【課題】 水素ガス,アンモニアガス,又はこれらのいずれかのガス含んだ混合ガスを六フッ化硫黄ガスに添加することにより、エッチング時におけるウエハ表面の白濁の発生を抑制すると共に高品質のウエハ鏡面加工を可能にするウエハエッチング方法を提供する。【解決手段】 ボンベ31のSF6ガスG1とボンベ32のH2ガスG2とを所定の割合で混合した混合ガスを放電管2に供給し、マイクロ波Mをマイクロ波発振器4から発振してプラズマ放電させる。そして、ノズル部20から噴射する活性種ガスGでシリコンウエハW表面を局部的にエッチングすることにより、シリコンウエハW表面全体を平坦化する。

Claim (excerpt)：

六フッ化硫黄ガスを放電管内の放電部位でプラズマ化して活性種ガスを生成するプラズマ発生過程と、上記放電部位で生成した活性種ガスをウエハ側に導く放電管のノズル部をウエハの相対厚部に対向させた状態で、上記活性種ガスを上記相対厚部に噴射させることにより、上記相対厚部を局部的にエッチングする噴射過程とを具備するウエハエッチング方法において、上記活性種ガスに、水素ガス,アンモニアガス,又はこれらのいずれかのガス含んだ混合ガスを所定の割合で添加する、ことを特徴とするウエハエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

FI (2)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• プラズマエッチング方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-322241   Applicant：スピードファム株式会社
• 特開平4-358076
  
• プラズマ表面処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-218383   Applicant：株式会社日立製作所