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J-GLOBAL ID：200903067653160030

配線の形成方法

Inventor： 星野 和弘
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 志賀 富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992155528
Publication number (International publication number)：1993347274
Application date： Jun. 16, 1992
Publication date： Dec. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高融点金属プラグとAl系配線との反応を防止し、熱的に安定な配線を得る。【構成】 コンタクトホール3に選択WCVD法でWプラグ4を形成した後、Wプラグ4の表面を窒化処理して窒化タングステン層5を形成し、その上にAl系配線層6を形成、パターニングする。AlとWの間に窒化タングステン層5を介在させることにより、AlとWの反応が阻止され、熱的安定性を有する配線が得られる。

Claim (excerpt)：

高融点金属材料層の表面を、窒素(N)原子を含むガス、または炭素(C)原子を含むガス、またはホウ素(B)原子を含むガスの少なくとも1つを含むガス雰囲気中で拡散的処理を施した後、該高融点金属材料層上にアルミニウム(Al)系金属材料層を形成することを特徴とする配線の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205