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J-GLOBAL ID：200903067664606774
薄膜トランジスタ及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995234113
Publication number (International publication number)：1997083040
Application date： Sep. 12, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：
【要約】【課題】 側鎖に液晶性置換基が導入されたポリマーにより構成され、かつ該ポリマーの骨格鎖が任意の方向へ配向している有機半導体薄膜を、電気光学素子に用いられる薄膜トランジスタの能動層に用いることにより、有機半導体膜の特性を高次構造的に改善し、十分に引き出すことが可能な高性能薄膜トランジスタを得ることができる。【解決手段】 絶縁性基板上に、ゲート電極、ソース/ドレイン電極、チャネル層を構成する有機半導体膜及び前記ゲート電極とチャネル層とに挟まれたゲート絶縁膜が形成されてなり、前記有機半導体膜が、側鎖に液晶性置換基が導入されたポリマーにより構成され、かつ該ポリマーの骨格鎖が任意の方向へ配向している薄膜トランジスタ。
Claim (excerpt)：
絶縁性基板上に、ゲート電極、ソース/ドレイン電極、チャネル層を構成する有機半導体膜及び前記ゲート電極とチャネル層とに挟まれたゲート絶縁膜が形成されてなり、前記有機半導体膜が、側鎖に液晶性置換基が導入されたポリマーにより構成され、かつ該ポリマーの骨格鎖が任意の方向へ配向していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 29/28
, H01L 29/78 618 B
