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J-GLOBAL ID：200903067677442177

空間光変調素子の製造方法

Inventor： 田中 幸生 ,  杉浦 久則 ,  西山 和廣 ,  朝山 純子 ,  小森 一徳 ,  滝本 昭雄
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994253394
Publication number (International publication number)：1996122809
Application date： Oct. 19, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】 画素電極パターンを有する空間光変調素子において、遮光度が大きくしかも読み出し光の光利用効率が大きい空間光変調素子を製造する。【構成】 光導電層106の上に金属下地膜107の画素パターンを形成し、次にこれをエッチングマスクとして画素間部分の光導電層106を等方性エッチングにより除去し、その上から金属下地膜107と同じ成分をもつ金属材料を蒸着(またはスパッタ)することにより、金属下地膜107上には金属補強膜108を、溝底部には金属遮光基層膜119を形成する。金属補強膜108は、金属下地膜107をより頑丈にして端部の垂れを防ぎ、読み出し光の反射率の低下を防ぐ効果をもつ。

Claim (excerpt)：

第一の電極と、前記第一の電極に対して平行に配置された第二の電極と、前記第一の電極と前記第二の電極の間に配置された複数の金属画素電極と、前記第一の電極と前記金属画素電極に挟まれた光導電層と、前記第二の電極と前記金属画素電極に挟まれた光変調層とを備えた空間光変調素子を製造する方法であって、前記光導電層上に第一の金属を主成分とする金属下地膜を形成する第一の工程と、前記金属下地膜を複数に分離する第二の工程と、複数に分離された前記金属下地膜をマスクとして前記光導電層の一部を除去して溝を形成する第三の工程と、前記第一の金属を主成分とする物質を再度成膜することにより前記金属下地膜上に金属補強膜を形成し、かつ前記溝の底部に金属遮光基層膜を形成する第四の工程とを順に経ることにより前記金属画素電極を得ることを特徴とする空間光変調素子の製造方法。

IPC (2)：

G02F 1/135 ,  G02F 1/1335 515