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J-GLOBAL ID：200903067679733039

シリコン膜の形成方法

Inventor： 福山 恵一 ,  高寺 勉 ,  清水 正文
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 岡田 和秀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998173683
Publication number (International publication number)：2000007317
Application date： Jun. 19, 1998
Publication date： Jan. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】 液体状の高次シランから形成されるシリコン膜の膜厚を容易に制御可能なシリコン膜厚の形成方法を提供する。【解決手段】 本発明に係るシリコン膜の形成方法は、液体状の高次シランを基体8上に塗布しておき、加熱に伴う高次シランの分解反応によって基体8上にシリコン膜を形成する方法であって、加熱される基体8そのものの設定温度を変化させてシリコン膜の膜厚を制御することを特徴としている。なお、高次シランは一般式がSinH2n+2もしくはSinH2n(nはn≧4の整数)のいずれかで表されるものであり、また、基体8の設定温度は250°C以上かつ450°C以下の範囲内であることとされている。

Claim (excerpt)：

液体状の高次シランを基体上に塗布しておき、加熱に伴う高次シランの分解反応によって基体上にシリコン膜を形成する方法であって、加熱される基体そのものの設定温度を変化させてシリコン膜の膜厚を制御することを特徴とするシリコン膜の形成方法。

IPC (2)：

C01B 33/02 ,  H01L 31/04

FI (2)：

C01B 33/02 D ,  H01L 31/04 M

F-Term (19)：

4G072AA01 ,  4G072BB09 ,  4G072FF01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH03 ,  4G072HH04 ,  4G072LL03 ,  4G072MM01 ,  4G072NN21 ,  4G072RR01 ,  4G072UU01 ,  4G072UU02 ,  4G072UU04 ,  5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA05 ,  5F051CB11 ,  5F051CB30