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J-GLOBAL ID：200903067683589783

Si基板を用いたガラス導波路およびその製造方法

Inventor： 井本 克之
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991332215
Publication number (International publication number)：1993164932
Application date： Dec. 16, 1991
Publication date： Jun. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 反りがほとんどなく、コアとクラッドの間の屈折率差が大きく、かつ低損失なガラス導波路を実現する。【構成】 Si基板1表面に形成された溝10と、その溝10の内面に熱酸化処理を施して形成されたSi酸化膜2と、上記溝10に埋め込ようにして設けられた高屈折率ガラスのコア3と、そのコア3を被覆するようにして基板1上に設けられたクラッド層4とを備えていることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

Si基板表面に形成された溝と、その溝の内面に熱酸化処理を施して形成されたSi酸化膜と、上記溝に埋め込ようにして設けられた高屈折率ガラスのコアと、そのコアを被覆するようにして基板上に設けられたクラッド層とを備えていることを特徴とするSi基板を用いたガラス導波路。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭60-129711
  
• 特開平2-203305
  
• 特開昭64-090426