Pat
J-GLOBAL ID:200903067687167921
インターフェース回路
Inventor:
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
鈴江 武彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996066732
Publication number (International publication number):1997261032
Application date: Mar. 22, 1996
Publication date: Oct. 03, 1997
Summary:
【要約】【課題】ECL-CMOSレベル変換用のインターフェース回路において、入力段差動増幅回路の高域周波特性を改善し、増幅用の差動対トランジスタの動作バイアス点の決定を容易にし、回路設計の容易化を図る。【解決手段】ECLレベルの信号が入力する増幅用の差動対をなすバイポーラトランジスタQ1、Q2およびカレントミラー負荷用のMOSトランジスタM1、M2を用いたBi-MOS型の差動増幅回路10と、Bi-MOS型の差動増幅回路の後段に接続され、CMOSレベルの信号を出力するCMOS型の差動増幅回路20とを具備する。
Claim (excerpt):
ECLレベルの信号が入力する増幅用の差動対をなすバイポーラトランジスタおよびカレントミラー負荷用のMOSトランジスタを用いたBi-MOS型の差動増幅回路と、上記Bi-MOS型の差動増幅回路の後段に接続され、CMOSレベルの信号を出力するCMOS型の差動増幅回路とを具備することを特徴とするインターフェース回路。
IPC (4):
H03K 19/0175
, H03F 3/45
, H03K 19/01
, H03K 19/0944
FI (4):
H03K 19/00 101 A
, H03F 3/45 A
, H03K 19/01
, H03K 19/094 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
-
レベル変換回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-233945
Applicant:富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
-
特開昭63-015519
-
特開昭63-015519
Return to Previous Page