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J-GLOBAL ID：200903067695662001
半導体装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995056991
Publication number (International publication number)：1996255904
Application date： Mar. 16, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：
【要約】【目的】電極間耐圧を向上することができるFETの電極構造を備える半導体装置を提供する。【構成】第1の導電型の活性領域層と、第2の導電型の埋込構造層と、これらの表面に形成されたソース電極とゲート電極とドレイン電極を有するFETにおいて、ソース電極またはドレイン電極の何れか一方のみが、少なくとも上記第2の導電型の埋込構造層に接続された電極構造を備える。
Claim (excerpt)：
第1の導電型の活性領域層と、第2の導電型の埋込構造層と、これらの表面に形成されたソース電極とゲート電極とドレイン電極を有する電界効果トランジスタにおいて、ソース電極またはドレイン電極の何れか一方のみが、少なくとも上記第2の導電型の埋込構造層に接続された電極構造を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 29/78 301 X
, H01L 29/78 616 S
