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J-GLOBAL ID：200903067697424396

薄膜トランジスタの製造方法

Inventor：
蔡 基 成

About 蔡 基 成


Applicant, Patent owner：
株式会社金星社

About 株式会社金星社


Agent (1)： 押田 良久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993298905
Publication number (International publication number)：1995106599
Application date： Nov. 04, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】 エッチング処理やレーザビーム模様の調整などの複雑な工程なしに、ポリシリコン層の選択結晶化を行なう、液晶表示素子駆動用の高特性の薄膜トランジスタの製造方法の提供。【構成】 ガラス基板21上にゲート電極22を作成し、該ゲート電極22上に絶縁層23を形成し、該絶縁層23上に非晶質シリコン層24を形成する形成工程と、ビームの両側末端部に、互いに重なり合うオーバーラップ部が生じるように、前記非晶質シリコン層24の表面にレーザビームを走査する走査工程とを有する。
Claim (excerpt)：
ガラス基板上にゲート電極を作成し、該ゲート電極上に絶縁層を形成し、該絶縁層上に非晶質シリコン層を形成する形成工程と、ビームの両側末端部に、互いに重なり合うオーバーラッパ部が生じるように、前記非晶質シリコン層の表面にレーザビームを走査する走査工程とを有することを特徴とする液晶表示素子駆動用の薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (5)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特開平4-050818
  • 特開昭57-128024
  • 特開昭60-086818
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