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J-GLOBAL ID：200903067705466923

強誘電体薄膜の作製方法

Inventor： 坂下 幸雄
Applicant, Patent owner： 株式会社日鉱共石
Agent (1)： 並川 啓志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992108457
Publication number (International publication number)：1993267196
Application date： Apr. 02, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、化学気相成長法による強誘電体薄膜の作製方法に関するものである。特に、半導体基板上に強誘電体エピタキシャル薄膜を作製する方法を提供する。【構成】 化学気相成長法で強誘電体薄膜を作製する方法において、リチウムのβ-ジケトン系金属錯体の内の一種以上と、タンタル、ニオブの各アルコキシド叉は各β-ジケトン系金属錯体の内の一種以上を気相原料とし、これらのガスを不活性キャリアガスで反応器内に導入するとともに、前記原料ガスを酸素等の酸化剤により酸化して、シリコン叉は化合物半導体からなる単結晶基板上に、Li(Nbx,Ta1-x)O3(0≦x≦1)薄膜をエピタキシャル成長させることを特徴とする強誘電体薄膜の作製方法。【効果】 本発明において、シリコン等の半導体基板上に強誘電体薄膜をエピタキシャル成長させることが可能となる。これにより、高機能性酸化物薄膜デバイス、例えば薄膜表面弾性波デバイス等の開発が可能となる。

Claim (excerpt)：

化学気相成長法で強誘電体薄膜を作製する方法において、リチウムのβ-ジケトン系金属錯体の内の一種以上と、タンタル、ニオブの各アルコキシド叉は各β-ジケトン系金属錯体の内の一種以上を気相原料とし、これらのガスを不活性キャリアガスで反応器内に導入するとともに、前記原料ガスを酸素等の酸化剤により酸化して、シリコン叉は化合物半導体からなる単結晶基板上に、Li(Nbx,Ta1-x)O3 (0≦x≦1) (以下LNTと称す)薄膜をエピタキシャル成長させることを特徴とする強誘電体薄膜の作製方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  G02F 1/03 501 ,  H03H 9/25