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J-GLOBAL ID：200903067715432822

半導体マイクロバルブ

Inventor： 吉田 仁 ,  友成 恵昭 ,  河田 裕志 ,  鎌倉 將有 ,  吉田 和司 ,  片山 弘典 ,  齊藤 公昭 ,  藤井 圭子 ,  豊田 憲治
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 西川 惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999324348
Publication number (International publication number)：2001138296
Application date： Nov. 15, 1999
Publication date： May. 22, 2001
Summary：

【要約】【課題】駆動性の良好な半導体マイクロバルブを提供する。【解決手段】第2の基板2の可撓部3が撓むことにより弁体4が変位し、第1の基板1に形成された貫通孔7の上面開口部7bの外周部に位置する弁座部7aと、弁体4の下面部4aとの距離が変化し、貫通孔7に流れる流体の流量が調整される。第1の基板1と第2の基板2とは緩衝層10を介して接合される。

Claim (excerpt)：

所定の位置に貫通孔を有する第1の基板と、撓み可能な可撓部および前記貫通孔に対応する位置に形成され前記可撓部の撓みにより変位する弁体を有するとともに前記第1の基板に接合される第2の基板とによって構成され、前記弁体の変位により前記貫通孔に流れる流体の流量制御を行う半導体マイクロバルブにおいて、前記第1の基板と前記第2の基板とが緩衝層を介して接合されることを特徴とする半導体マイクロバルブ。

IPC (2)：

B81B 3/00 ,  F16K 31/70

FI (2)：

B81B 3/00 ,  F16K 31/70 C

F-Term (13)：

3H057AA05 ,  3H057BB02 ,  3H057BB06 ,  3H057BB07 ,  3H057CC07 ,  3H057DD12 ,  3H057EE10 ,  3H057FA26 ,  3H057FC02 ,  3H057FC03 ,  3H057FD19 ,  3H057HH07 ,  3H057HH11