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J-GLOBAL ID：200903067729472509

薄膜の製膜方法

Inventor： 山本 雅司 ,  宮内 正人 ,  半那 純一
Applicant, Patent owner： セントラル硝子株式会社
Agent (1)： 坂本 栄一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993030481
Publication number (International publication number)：1993315269
Application date： Feb. 19, 1993
Publication date： Nov. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】CVD法により薄膜デバイスに用いるGe、SiGe薄膜を基板上に製膜する。【構成】温度範囲が200〜600°Cの加熱基板上に、GeF4 ガスとシランガス(Sin H2n+2,nは1〜3の整数)の混合ガスを供給する。

Claim (excerpt)：

基板温度が、200〜600°Cの温度範囲である加熱基板上に、GeF4 とシランガス(Sin H2n+2,nは1〜3の整数)の混合ガスを供給することによりGeあるいはSiGe薄膜を堆積させることを特徴とする薄膜の製膜方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/30 ,  G03G 5/08 317

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平2-119125
  
• 特開平4-159128
  
• 特開昭63-034259
  
• 特開昭61-194823
  
• 特開平4-244423
  
• 特開平4-221223