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J-GLOBAL ID:200903067731642810

ボールグリッドアレイ型半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 春日 讓
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998060846
Publication number (International publication number):1999260962
Application date: Mar. 12, 1998
Publication date: Sep. 24, 1999
Summary:
【要約】【課題】導電性配線の断線、および外部端子の破断を、抑制し、信頼性の高いBGA型の半導体装置を実現する。【解決手段】個々のランド2bを覆う個々の絶縁膜3は、互いに分離されており、かつ、ランド2bを覆う絶縁膜3の側面3bから、ランド2bに接続される導電性配線2の他にダミー配線10を突出させる。これによって、絶縁膜3内部で剛性の大きな配線材料が占める割合を大きくすることができ、絶縁膜3自体の熱変形の拘束を、ダミー配線10により強化することができるようになる。また、絶縁膜側面3bの剥離を導電性配線2とダミー配線10とによって抑制することができ、側面3bの剥離発生による絶縁膜3の熱変形量の増加を抑制することができる。
Claim (excerpt):
ボールグリッドアレイ型半導体装置において、複数のパッド及び複数のランドと、少なくとも半導体素子の面内で上記複数のランドのそれぞれを覆うように形成され、互いに分離された複数の絶縁膜と、上記複数のランドのそれぞれから延長されて上記絶縁膜から突出する複数の導電性部材を有する絶縁性テープと、上記絶縁性テープの表面に接着部材によって固着され、金属細線によって上記パッドを介して上記導電性部材と電気的に接続される方形の半導体素子と、上記半導体素子の周囲と上記絶縁性テープの半導体素子固着面とを封止する封止樹脂と、上記ランドに接合された外部端子と、を備えることを特徴とするボールグリッドアレイ型半導体装置。
FI (2):
H01L 23/12 Q ,  H01L 23/12 L
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)

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