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J-GLOBAL ID：200903067767322995

ダイヤモンド薄膜電界効果トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 西村 耕造 ,  小山 久 ,  小橋 宏司
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所
Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993241709
Publication number (International publication number)：1995099318
Application date： Sep. 28, 1993
Publication date： Apr. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】 電極とソースドレイン領域との間の接触抵抗が小さく、特性が優れたダイヤモンド薄膜電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 ダイヤモンド薄膜電界効果トランジスタは、半導体ダイヤモンドのp層53からなるチャネル層と、このチャネル層上に形成されたゲート絶縁層としての高抵抗ダイヤモンドからなるi層54と、このi層54上に形成されたゲート電極薄膜58と、このゲート電極薄膜58並びにそのサイドウオール582及び保護膜581をマスクとしてイオン注入によりi層54の表面に自己整合的に形成されたソース及びドレイン領域542とを有する。

Claim (excerpt)：

半導体ダイヤモンドからなるチャネル層と、このチャネル層上に形成され高抵抗ダイヤモンドからなるゲート絶縁層と、このゲート絶縁層上に形成されたゲート電極と、このゲート電極をマスクとしてイオン注入により前記ダイヤモンド表面に自己整合的に形成されたソース及びドレイン領域とを有することを特徴とするダイヤモンド薄膜電界効果トランジスタ。

FI (2)：

H01L 29/78 311 B ,  H01L 29/78 311 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-160731
  
• 特開平3-110866
  
• 特開昭63-197376
  
• 特開平1-143358