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J-GLOBAL ID：200903067768653243

排ガス処理装置

Inventor： 安藤 正夫 ,  鈴木 明 ,  三宮 照雄 ,  池上 英雄
Applicant, Patent owner： 株式会社エクォス・リサーチ ,  アイシン・エィ・ダブリュ株式会社
Agent (1)： 川井 隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993339308
Publication number (International publication number)：1995155530
Application date： Dec. 03, 1993
Publication date： Jun. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】 大きな放電管ギャップの放電管に対して、低電力での駆動が可能で、絶縁耐圧も低くすることが可能な排ガス処理装置を提供する。【構成】 排ガス処理装置を、直流電源11を交流にし、その電圧を変化させる制御部12と、トランス13と、排ガス中のNOX 等を処理するプラズマ放電管14とを備える。制御部12は、昇圧タイプのチョッパ回路21と駆動回路22、高速スイッチング用のFET23、24とその駆動回路25、26と、各駆動回路を制御するCPU28とからなる。排ガス処理装置では、プラズマ放電開始時の少なくとも1周期の間、トランス13の1次側電圧をチョッパ回路で昇圧し、2次側電圧をプラズマ放電管14の放電開始電圧である20KVにする。その後は、2次側電圧が放電維持電圧の10KVになるように、チョッパ回路21を通常駆動する。

Claim (excerpt)：

内部を通過する排ガスをプラズマ化するプラズマ放電部と、このプラズマ放電部に交流電圧を印加する電圧印加手段と、この電圧印加手段から印加される交流電圧を、プラズマ放電開始時に少なくとも1周期の間昇圧する電圧昇圧手段、とを具備することを特徴とする排ガス処理装置。

IPC (5)：

B01D 53/32 ZAB ,  B01D 53/34 ZAB ,  B01D 53/56 ,  B01D 53/74 ,  F01N 3/08 ZAB

FI (2)：

B01D 53/34 ZAB ,  B01D 53/34 129 C