Pat

J-GLOBAL ID：200903067770857450

レーザー処理方法

Inventor： 張 宏勇
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992307797
Publication number (International publication number)：1994132219
Application date： Oct. 21, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 パルスレーザーを用いたレーザーアニール等のレーザー処理方法に関して、歩留り、再現性、良好な特性が安定に得られるための方法を提供する。【構成】 パルス幅を30nsec以上とすることによって、レーザー処理を安定におこなえる。パルス幅を30nsecとするためには、複数のレーザーを用いて、これを直列あるいは並列に接続し、同期をずらすことによって成就する。

Claim (excerpt)：

発振器として機能するレーザー装置と、増幅器として機能する少なくとも1段のレーザー装置と、これらのレーザー装置を発振・励起するためのトリガーパルス発振回路が設けられ、前記発振器および前記増幅器はそれぞれケーブルによってトリガーパルス発振回路と接続されている装置において、前記発振器のレーザーパルスのパルス幅をwとするとき、発振器を発振させてから、0.5w〜5w後に増幅器を励起することによって生じたレーザーパルス光を、物体に照射することを特徴とするレーザー処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/268