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J-GLOBAL ID：200903067771572858

調整可能なマルチゾーンガス噴射システム

Inventor： クーパーバーグ, デヴィッド, ジェイ. ,  ヴァヘディ, ヴァヒド ,  ラット, ダグラス ,  シング, ハーミート ,  ベンジャミン, ニール
Applicant, Patent owner： ラム リサーチ コーポレーション
Agent (5)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二 ,  松丸 秀和
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003537097
Publication number (International publication number)：2005507159
Application date： Oct. 09, 2002
Publication date： Mar. 10, 2005
Summary：

半導体ウェハ等の基板のプラズマ処理用のプラズマ処理システムのための調整可能なマルチゾーンガス噴射システム。本システムは、プラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバに接続される真空ポンプと、前記プラズマ処理チャンバの内部において、その上で基板が処理される基板支持体と、前記基板支持体に面する内面を有する誘電体部材であって、前記処理チャンバの壁を形成する誘電体部材と、前記プラズマ処理チャンバの内部にその末端が晒されるように、前記誘電体部材を通って延びるガス噴射器であって、複数のガス排気口を有し、少なくとも前記複数のガス排気口のいくつかの間で独立して変化する流量で処理ガスを供給するガス噴射器と、前記誘電体部材を通してRFエネルギを誘導結合し、前記処理ガスにエネルギを与えてプラズマ状態にして前記基板を処理するRFエネルギ源と、を含む。前記噴射器は、中央領域に第1の流量で処理ガスを供給する軸上排気口(on-axis outlet)と、前記中央領域を取り囲む環状領域に第2の流量で同一の処理ガスを供給する軸外排気口と、を含むことができる。本装置は、前記チャンバ内の複数領域(マルチゾーン)へのガスの流れの独立調整を可能にすることによって、特定の処理方式の要求を満たすためにガス供給の変更を可能にする。さらに、消費可能なシャワーヘッド装置と比較すると、取外し可能に搭載されたガス噴射器は、より簡単で経済的に取り替えることができる。

Claim (excerpt)：

プラズマ処理チャンバと、 前記プラズマ処理チャンバに接続される真空ポンプと、 前記プラズマ処理チャンバの内部において、その上で基板が処理される基板支持体と、 前記基板支持体に面する内面を有する誘電体部材であって、前記処理チャンバの壁を形成する誘電体部材と、 前記プラズマ処理チャンバの内部にその末端が露出するように、前記誘電体部材を通って延びるガス噴射器であって、複数のガス排気口を有し、少なくとも前記複数のガス排気口のいくつかの間で独立して変化する流量で前記プラズマ処理チャンバに処理ガスを供給するガス噴射器と、 前記誘電体部材を通して前記プラズマ処理チャンバにRFエネルギを誘導結合し、前記処理ガスにエネルギを与えてプラズマ状態にして前記基板を処理するRFエネルギ源と、 を備えることを特徴とするプラズマ処理システム。

IPC (7)：

H01L21/3065 ,  C23C16/455 ,  C23C16/507 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

FI (7)：

H01L21/302 101G ,  C23C16/455 ,  C23C16/507 ,  C23F4/00 A ,  H01J37/32 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46 L

F-Term (43)：

4K030EA06 ,  4K030FA04 ,  4K030KA46 ,  4K057DA11 ,  4K057DB05 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DE01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE11 ,  4K057DG13 ,  4K057DM28 ,  4K057DM31 ,  4K057DM35 ,  4K057DM37 ,  4K057DN01 ,  5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BC03 ,  5F004BD02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB09 ,  5F004DB26 ,  5F045AA08 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045EE20 ,  5F045EF02 ,  5F045EF03 ,  5F045EF08 ,  5F045EF09 ,  5F045EH11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• HDP-CVD装置内の粒子特性を改善するシーズニングプロセスにおける酸素対シランの比の制御
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-180770   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 特開昭61-100935
  
• ドライエッチング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-329455   Applicant：株式会社日本自動車部品総合研究所, 日本電装株式会社
• ガス流量制御装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-117865   Applicant：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社