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J-GLOBAL ID：200903067776780432

ドープされた半導体材料から成る導電性先端の製造方法

Inventor： ラインハルト シユテングル ,  ハンス-ウイリー モイル ,  ウオルフガング ヘーンライン
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 富村 潔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991355261
Publication number (International publication number)：1993095140
Application date： Dec. 20, 1991
Publication date： Apr. 16, 1993
Summary：

【要約】【目的】 nm範囲の先端半径を容易に制御可能に調整することのできる導電性先端の製造法を得る。【構成】 半導体材料が選択的エピタキシーに際して成長しない物質を少なくともその表面及び直接基板(1)上に含むマスク層2、3、4を、半導体材料から成る基板1上に製造する。このマスク層2、3、4中に基板1の表面が露出する開口6を製造する。基板1の表面に対して平行な方向での層成長が基板1の表面に対して垂直な方向におけるよりも小さい選択的エピタキシーにより、導電性先端7を基板1の露出表面上に製造する。

Claim (excerpt)：

ドープされた半導体材料から導電性先端を製造する方法において、a) 半導体材料から成る基板(1)上にマスク層(2、3、4、11)を作り、このマスク層が少なくともその表面及び直接基板(1)上に、半導体材料が選択的エピタキシーに際して成長しない物質を含み、b) このマスク層(2、3、4、11)中に、基板(1)の表面が露出する開口(6)を作り、c) 基板(1)の露出する表面上に、基板(1)の表面に対して平行な方向での層成長が基板(1)の表面に対して垂直な方向におけるよりも少ない選択的エピタキシーにより導電性先端(7)を作る各工程を有するドープされた半導体材料から成る導電性先端の製造方法。

IPC (4)：

H01L 45/00 ,  H01J 1/30 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/306

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-221528
  
• 特開昭64-086428