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J-GLOBAL ID：200903067779137611

プラズマCVD装置

Inventor： 刈谷 淳
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993312177
Publication number (International publication number)：1995176483
Application date： Dec. 13, 1993
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 プラズマCVD装置において加熱される半導体基板の表面温度分布を均一化して該基板上の膜厚の均一性を向上させる。【構成】 プラズマCVD装置において、半導体加熱ステージをなす基板支持用電極5上の半導体基板9の表面温度分布について、移載アーム6の温度を制御することにより、移載アーム6の上部領域の半導体基板表面温度と、基板支持用電極5に直接接する領域上の半導体基板表面温度とが同一になるようにする。

Claim (excerpt)：

電極の対と、移載アームと、温度調整部とを有し、電極の対間に電圧を印加してプラズマを発生させることにより、一方の電極上の半導体基板にプラズマCVD成膜処理を行うプラズマCVD装置であって、電極の対は、互いに向き合わせに設置され、一方の基板支持用の電極は、半導体基板を加熱するヒータと、移載アームを受け入れる溝とを有し、移載アームは、半導体基板を支持し、該基板を基板支持用電極に搬出入するものであり、成膜時基板を支持したまま基板支持用電極の溝内に収納され、温度調整部は、移載アームの温度を調整することにより、基板支持用電極に直接接触した半導体基板の表面温度に対して移載アーム上の半導体基板の表面温度が同一となるように温度制御し、半導体基板の表面温度分布を均一化するものであることを特徴とするプラズマCVD装置。