非晶質半導体素子及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：芝野正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998310468
Publication number (International publication number)：2000138384
Application date： Oct. 30, 1998
Publication date： May. 16, 2000
Summary：

【要約】【目的】界面特性の向上した光起電力素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】基板1上に、相隣接して配された、互いに異なる導電型を有する非晶質半導体層3,4を備える非晶質半導体素子であって、相隣接する前記非晶質半導体層3,4の隣接界面に、相隣接する非晶質半導体層のうち前記基板1側に配された非晶質半導体層3における主構成元素の自然酸化物層bを設けたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上に、相隣接して配された、互いに異なる導電型を有する非晶質半導体層を備える非晶質半導体素子であって、相隣接する前記非晶質半導体層の隣接界面に、相隣接する非晶質半導体層のうち前記基板側に配された非晶質半導体層における主構成元素の自然酸化物層を設けたことを特徴とする非晶質半導体素子。

F-Term (5)：

5F051AA04 , 5F051AA05 , 5F051CA15 , 5F051DA04 , 5F051DA18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

光起電力装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-149047 Applicant：三洋電機株式会社
特開昭63-127584
特開昭59-000972

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