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J-GLOBAL ID：200903067801174143
プラズマ処理装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
谷川 昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993075636
Publication number (International publication number)：1994291054
Application date： Apr. 01, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：
【要約】【目的】 プラズマ中の気相反応で発生する微粒子を効率良く排除でき、それによって微粒子が処理対象基板や真空容器内各部に付着することを抑制できるとともに、従来より高速成膜が可能となり、プラズマを安定化させて成膜不良の発生を抑制することができるプラズマCVD装置を提供する。【構成】 排気装置51、52により所定成膜真空状態に維持可能な真空容器1内に、高周波電極3及び基板設置用の接地電極2を設け、両電極2、3間に導入した成膜用ガスを電極3に高周波電力を印加してプラズマ化させ、該プラズマのもとで処理対象基板S1に目的とする成膜を行うプラズマCVD装置において、接地電極2の周縁部25及び背面部26を囲み、電極周縁部25に隣合う部位に開口部81を有する微粒子排出ダクト8を設けるとともに、該ダクトに電極2の背面側中央部において排気装置80を接続したプラズマCVD装置。
Claim (excerpt)：
排気装置により所定の処理真空状態にできる真空容器内に、プラズマ生成用電力印加のための電極及び該電極に対向配置される接地電極を設け、該両電極間に導入した処理用ガスを前記電力印加用電極に電力印加してプラズマ化させ、該プラズマのもとで前記いずれかの電極に設置される処理対象基板に目的とするプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、前記接地電極の周縁部及び背面部を囲み、該電極周縁部に隣合う部位に開口部を有する微粒子排出ダクトを設けるとともに、該ダクトに前記接地電極の背面側中央部に対応する位置において排気手段を接続したことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3)：
H01L 21/205
, C23C 16/50
, H01L 21/302
