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J-GLOBAL ID：200903067805673888

半導体発光素子

Inventor： 佐藤 俊一 ,  軸谷 直人
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000144604
Publication number (International publication number)：2001144375
Application date： May. 12, 2000
Publication date： May. 25, 2001
Summary：

【要約】【課題】 GaPとGaAsとの間の格子定数を有する材料系からなる半導体発光素子において、製造工程が容易で歩留まりが高く、また、導波損失が少なく高出力化に有利な半導体発光素子を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に、光を発生する活性層4と、活性層4よりもバンドギャップが大きくGaPとGaAsとの間の格子定数を有する半導体層2,3とを有し、半導体層2,3で活性層4を挟む構造を有する半導体発光素子において、半導体層3の一部に、AlxGayIn1-x-yPtAs1-t(0.8≦x≦1、0≦y≦0.2、0≦t≦1)層5を含み、AlxGayIn1-x-yPtAs1-t(0.8≦x≦1、0≦y≦0.2、0≦t≦1)層5の一部が選択酸化されて選択酸化層7として形成されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、光を発生する活性層と、活性層よりもバンドギャップが大きくGaPとGaAsとの間の格子定数を有する半導体層とを有し、前記半導体層で前記活性層を挟む構造を有する半導体発光素子において、前記半導体層の一部に、AlxGayIn1-x-yPtAs1-t(0.8≦x≦1、0≦y≦0.2、0≦t≦1)層からなる被選択酸化層を含み、AlxGayIn1-x-yPtAs1-t(0.8≦x≦1、0≦y≦0.2、0≦t≦1)層からなる被選択酸化層の一部が選択酸化されて選択酸化層として形成されていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3)：

H01S 5/227 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343

FI (3)：

H01S 5/227 ,  H01L 33/00 B ,  H01S 5/343

F-Term (28)：

5F041AA04 ,  5F041AA41 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA14 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA38 ,  5F041CA60 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CB05 ,  5F073AA09 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA53 ,  5F073AA55 ,  5F073AA71 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073CA19 ,  5F073CB08 ,  5F073CB11 ,  5F073DA05 ,  5F073DA27 ,  5F073DA35