電極体及びそれを用いた有機薄膜トランジスタ並びにそれらの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004157258
Publication number (International publication number)：2005340497
Application date： May. 27, 2004
Publication date： Dec. 08, 2005
Summary：

【課題】低仕事関数及び高仕事関数が可能な電極体を提供する。また、デバイス効率の向上を図ることができる有機薄膜トランジスタとその製造方法を提供する。【解決手段】電子吸引基で終端されているアモルファスカーボン膜を有する電極体、若しくは、電子供与基で終端されているアモルファスカーボン膜を有する電極体を提供する。また、チャネルがp型有機半導体の場合には、ソース電極体及び/又はドレイン電極体が、電子吸引基で終端されたアモルファスカーボン膜を有する電極体を、また、チャネルがn型有機半導体の場合には、ソース電極体及び/又はドレイン電極体が、電子供与基で終端されたアモルファスカーボン膜を有する電極体を用いた有機薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

アモルファスカーボン膜を有する電極体であって、該アモルファスカーボン膜は電子吸引基で終端されていることを特徴とする電極体。

IPC (5)：

H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/00

FI (7)：

H01L21/28 301Z , H01L21/28 301B , H01L21/285 C , H01L29/78 616V , H01L29/78 618B , H01L29/78 616K , H01L29/28

F-Term (24)：

4M104AA09 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD45 , 4M104DD81 , 4M104GG00 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F110AA01 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110DD02 , 5F110EE04 , 5F110EE44 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG05 , 5F110HK01 , 5F110HK03 , 5F110HK21 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HK42

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

有機薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-215748 Applicant：旭化成工業株式会社

Cited by examiner (4)

画像表示装置、有機EL素子および画像表示装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-281527 Applicant：奇美電子股ふん有限公司
有機半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-265170 Applicant：パイオニア株式会社
有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-183660 Applicant：双葉電子工業株式会社

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