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J-GLOBAL ID：200903067835855573

半導体ナノクリスタルヘテロ構造体

Inventor： キム スングジェエ ,  バウエンディ モウンギ ジー.
Applicant, Patent owner： マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー
Agent (1)： 石川 徹
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004559043
Publication number (International publication number)：2006508012
Application date： Aug. 12, 2003
Publication date： Mar. 09, 2006
Summary：

【課題】 なし【解決手段】 半導体ナノクリスタルヘテロ構造は、第二半導体物質のオーバーコーティングにより囲まれた、第一半導体物質のコアを有する。励起によって、一のキャリアを、該コアに実質的に閉じ込めることができ、かつ他のキャリアを、該オーバーコーティング層に実質的に閉じ込めることができる。

Claim (excerpt)：

被覆されたナノクリスタルの製造方法であって: 第一半導体物質を含むコアナノクリスタルを、オーバーコーティング反応混合物中に導入すること;及び 該コアナノクリスタル上に第二半導体物質をオーバーコートすることを含み、ここで、該第一半導体物質、及び該第二半導体物質は、励起時に、一のキャリアが該コアに実質的に閉じ込められ、かつ他のキャリアが該オーバーコーティング層に実質的に閉じ込められるように選択される、前記方法。

IPC (3)：

C01B 19/04 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00

FI (3)：

C01B19/04 A ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特許第6251303号
  
• 特開昭63-178194
  
• 超分岐構造配位子を有する半導体結晶超微粒子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-128836   Applicant：三菱化学株式会社