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J-GLOBAL ID：200903067836620090

薄膜光電池デバイス及びヘテロ接合薄膜光電池デバイスの製造方法

Inventor： ゲイリー エイ ポロック ,  キム ダブリュー ミッチェル
Applicant, Patent owner： シーメンス ソーラー インダストリーズ インターナショナル インコーポレイテッド
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993332546
Publication number (International publication number)：1995007167
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jan. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 薄膜光電池デバイス及びヘテロ接合薄膜光電池デバイスの製造方法を提供する。【構成】 該薄膜光電池デバイスは、金属背面接点と、該背面接点上の第1の導電性形の第1の多元半導体膜と、前記第1の半導体膜上の前記第1の導電性形と反対の導電性形を有する第2の透明な金属酸化物半導体膜と、前記第1の半導体膜と前記第2の半導体膜との間の透明な、絶縁金属酸化物の界面の薄膜とからなり、かつ金属背面接点に第1の導電性形の第1の複合半導体薄膜を析出させ、前記第1の半導体薄膜上の透明な絶縁金属酸化物の薄膜を溶液から化学的に析出させ、前記第1の半導体薄膜上の第1の導電性形と反対の導電性形を有する第2の透明な金属酸化物半導体膜を析出させることよりなる。

Claim (excerpt)：

金属背面接点と、該背面接点上の第1の導電性形の第1の多元半導体膜と、前記第1の半導体膜上の前記第1の導電性形と反対の導電性形を有する第2の透明な金属酸化物半導体膜と、前記第1の半導体膜と前記第2の半導体膜との間の透明な、絶縁金属酸化物の界面の薄膜とからなることを特徴とする、薄膜光電池デバイス。