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J-GLOBAL ID：200903067860941689

位相シフト露光マスクの形成方法、位相シフト露光マスク、及び位相シフト露光方法

Inventor： 清水 秀夫
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993123317
Publication number (International publication number)：1994308715
Application date： Apr. 27, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ホールパターン等の光透過部間の透過光の干渉によると考えられる光強度の強くなる部分(サブピーク)を取り除いて、光強度分布を改善した位相シフト露光マスクの形成方法、位相シフト露光マスク、及び位相シフト露光方法を提供する。【構成】 露光光に対して透明な光透過部1a,1bと、透過率が該光透過部に対して低く、かつ光透過部とは位相を異ならしめて露光光を透過する半透明部2とを備えた位相シフト露光マスクに、光の干渉により生じるサブピークを低減させるパターン3a,3b(微小開口パターン、位相の異なる半透明パターン、遮光パターン等)を形成する。

Claim (excerpt)：

露光光に対して透明な光透過部と、透過率が該光透過部に対して低く、かつ光透過部とは位相を異ならしめて露光光を透過する半透明部とを備えた位相シフト露光マスクの形成方法であって、光透過部間の透過光の干渉により生じるサブピークを低減させるパターンを形成することを特徴とする位相シフト露光マスクの形成方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W