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J-GLOBAL ID：200903067868133867

半導体レーザ及びその製造方法

Inventor： 岡田 直子 ,  近藤 真人 ,  穴山 親志 ,  堂免 恵 ,  古谷 章
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993053656
Publication number (International publication number)：1994268322
Application date： Mar. 15, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体レーザ及びその製造方法に関し、極めて簡単な手段を採ることで、活性層中或いは劈開面に非発光再結合中心が生成されることを抑制し、発光効率及びCODレベルを向上させようとする。【構成】 n-GaInP基板上にn-(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 Pクラッド層22及びSe,S,Teなど六族元素がドーピングされたn-Ga0.5In0.5 P活性層23及びp-(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 Pクラッド層24が順に積層成長されてなるダブル・ヘテロ構造を備えている。

Claim (excerpt)：

n-AlGaInPクラッド層及びp-AlGaInPクラッド層に挟まれ且つ六族元素がドーピングされてなるGaInP或いはAlGaInP活性層から構成されたダブル・ヘテロ構造を備えてなることを特徴とする半導体レーザ。