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J-GLOBAL ID：200903067879682595

プラズマ処理装置及びその方法

Inventor： 岩村 直行 ,  青木 康次
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995344404
Publication number (International publication number)：1996279495
Application date： Dec. 05, 1995
Publication date： Oct. 22, 1996
Summary：

【要約】【課題】 被処理体の処理の面内均一性、歩留り及び処理速度を向上させることのできるプラズマ処理装置及びその方法を提供すること。【解決手段】 気体導入管20の透明窓22を介して、紫外線ランプ24により、気体に紫外線を照射して、気体の励起準位を高める。その下流側の第1の一対のプラズマ生成用電極26により、励起準位が高められた気体を用いてプラズマ領域Aにてプラズマを生成する。さらにその下流側に設けた第2の一対のプラズマ生成用電極30により、プラズマ領域Aにて活性化された気体の活性化状態が消失しない位置にて、気体を再励起してプラズマを生成する。このプラズマ領域A中の活性種により、被処理体1を処理する。

Claim (excerpt)：

被処理体の被処理面を処理するプラズマ処理装置において、前記被処理体が配置された処理室と、前記処理室に連結され、前記被処理体に向けて気体を供給する気体供給手段と、上流側から下流側に向かう前記気体の供給方向の異なる複数箇所に設けられ、前記気体を励起してプラズマを生成する複数のプラズマ生成手段と、を有し、前記下流側の前記プラズマ生成手段は、前記上流側の前記プラズマ生成手段により活性化された前記気体の活性化状態が消失しない位置にて、前記気体を再励起してプラズマを生成することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/027 ,  H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/302 H ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 A ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/30 572 A