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J-GLOBAL ID：200903067892228208

炭化珪素焼結体及びその製造方法

Inventor： 津戸 宏之 ,  松尾 裕之 ,  塩貝 達也
Applicant, Patent owner： 太平洋セメント株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997329680
Publication number (International publication number)：1999147766
Application date： Nov. 14, 1997
Publication date： Jun. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】 極めて平滑な表面を要求される場合は、焼結体の表面に炭化珪素膜を形成する必要があった。【解決手段】 多結晶から成る炭化珪素焼結体において、該焼結体の研磨面の表面粗さが、接触式による中心線平均粗さ(Ra)で3nm以下である炭化珪素焼結体。0.7μm以下の平均粒径を有する炭化珪素粉末に、焼結助剤としてほう素またはその化合物を0.1〜0.8重量%、炭素を1〜5重量%添加し、成形し、それを1900〜2050°Cの不活性ガス雰囲気中で常圧焼結した後、それをさらに1000kg/cm2以上の圧力下で焼結温度より低い温度で熱間静水圧プレス(HIP)処理し、得られたHIP処理体の表面を2μm以下の平均粒径を有するダイヤモンド砥粒で研磨することとした炭化珪素焼結体の製造方法。

Claim (excerpt)：

多結晶から成る炭化珪素焼結体において、該焼結体の研磨面の表面粗さが、接触式による中心線平均粗さ(Ra)で3nm以下であることを特徴とする炭化珪素焼結体。

IPC (2)：

C04B 35/565 ,  C04B 35/645

FI (3)：

C04B 35/56 101 E ,  C04B 35/56 101 S ,  C04B 35/64 302 Z