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J-GLOBAL ID：200903067894630461
薄膜コンデンサ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995071968
Publication number (International publication number)：1996273978
Application date： Mar. 29, 1995
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：
【要約】【目的】静電容量値が均等で絶縁抵抗、破壊電圧が高い薄膜コンデンサを提供する。【構成】セラミックス材料から成る絶縁基体3上に第1薄膜電極層5、誘電体薄膜層6、第2薄膜電極層7を順次被着させて形成される薄膜コンデンサ2であって、前記第1薄膜電極層5と誘電体薄膜層6との間に樹脂絶縁層8を介在させた。
Claim (excerpt)：
セラミックス材料から成る絶縁基体上に第1薄膜電極層、誘電体薄膜層、第2薄膜電極層を順次被着させて形成される薄膜コンデンサであって、前記第1薄膜電極層と誘電体薄膜層との間に樹脂絶縁層を介在させたことを特徴とする薄膜コンデンサ。
Patent cited by the Patent：
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