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J-GLOBAL ID：200903067895557547
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992208287
Publication number (International publication number)：1994061360
Application date： Aug. 05, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：
【要約】【目的】 本発明はコンタクトホールの開口形状をテーパ化してコンタクトホール上に形成される配線層のステップカバレッジ(被覆特性)を向上させることを目的とする。【構成】 本発明は上記目的を達成するため、レジスト2の開口パターンの内側下部に遠紫外光4を照射して硬化部2aを形成する。そして、幅の広い開口マスク5を用いてレジストを露光した後現像する。このようにして形成されたテーパ形状のレジストを用いてテーパ形状のコンタクトホール(図示せず)を形成する。
Claim (excerpt)：
コンタクトホールを有する半導体装置の製造方法であって、基板表面上にレジストを形成する工程と、前記レジストの所定部分を第1のマスクを用いて露光して現像することによって開口パターンを形成する工程と、前記レジストの開口パターンの内側下部に遠紫外光を照射することにより前記開口パターンの内側下部を現像液に不溶化させる工程と、前記第1のマスクよりも幅の広い第2のマスクを用いて前記レジストを露光した後現像する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/90
, H01L 21/28
, H01L 21/027
H01L 21/30 301 C
, H01L 21/30 361 V
