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J-GLOBAL ID:200903067905904445

高配向性ダイヤモンド薄膜の形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 藤巻 正憲
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993112004
Publication number (International publication number):1994321688
Application date: May. 14, 1993
Publication date: Nov. 22, 1994
Summary:
【要約】【目的】 結晶粒界が少なく、キャリア移動度及び降伏電界が高いと共に、漏れ電流が少ない大面積のダイヤモンド薄膜を高効率で形成することができる高配向性ダイヤモンド薄膜の形成方法を提供する。【構成】 高配向性ダイヤモンド薄膜の形成方法は、ダイヤモンド薄膜を熱フィラメント法より単結晶基板上に合成する。この合成の初期段階に、熱フィラメントと前記単結晶基板との間に所定時間前記単結晶基板を負とする電界を印加する。これにより、前記単結晶基板上に配向した結晶核層を形成し、次いでこの結晶核層を成長させることにより高配向性ダイヤモンド薄膜を合成する。
Claim (excerpt):
ダイヤモンド薄膜を熱フィラメント法より単結晶基板上に合成する高配向性ダイヤモンド薄膜の形成方法において、合成の初期段階に熱フィラメントと前記単結晶基板との間に所定時間前記単結晶基板を負とする電界を印加することにより、前記単結晶基板上に配向した結晶核層を形成し、次いでこの結晶核層を成長させることにより高配向性ダイヤモンド薄膜を合成することを特徴とする高配向性ダイヤモンド薄膜の形成方法。
IPC (3):
C30B 29/04 ,  C30B 25/02 ,  C30B 30/02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 特開平3-237091

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