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J-GLOBAL ID:200903067913010437

エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997350434
Publication number (International publication number):1999181244
Application date: Dec. 19, 1997
Publication date: Jul. 06, 1999
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 成形性、耐半田性、信頼性、特に高温時での電気特性等に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。【解決手段】 (A)一般式(1)で示されるスチルベン型エポキシ樹脂と、一般式(2)で示されるスチルベン型エポキシ樹脂の混合物を総エポキシ樹脂中に30重量%以上含むエポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂硬化剤、(C)無機質充填材、(D)硬化促進剤、(E)臭素化エポキシ樹脂、(F)三酸化二アンチモン、又は五酸化二アンチモン(G)ビスマス系無機イオン交換体からなることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。(ここで、R1〜R12は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜6の鎖状もしくは環状アルキル基、又はハロゲンの中から選択される基又は原子を示す。炭素-炭素二重結合に結合している2個のアリール基は(1)式では互いに同じで、(2)式では互いに異なる。)
Claim (excerpt):
(A)一般式(1)で示されるスチルベン型エポキシ樹脂と、一般式(2)で示されるスチルベン型エポキシ樹脂の混合物を総エポキシ樹脂中に30重量%以上含むエポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂硬化剤、(C)無機質充填材、(D)硬化促進剤、(E)臭素化エポキシ樹脂、(F)三酸化二アンチモン又は五酸化二アンチモン(G)ビスマス系無機イオン交換体からなることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【化1】(ここで、R1〜R4は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜6の鎖状もしくは環状アルキル基、又はハロゲンの中から選択される基又は原子を示す。炭素-炭素二重結合に結合している2個のアリール基は互いに同じである)【化2】(ここで、R5〜R12は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜6の鎖状もしくは環状アルキル基、又はハロゲンの中から選択される基又は原子を示す。炭素-炭素二重結合に結合している2個のアリール基は互いに異なる。)
IPC (8):
C08L 63/00 ,  C08G 59/24 ,  C08G 59/30 ,  C08G 59/62 ,  C08K 3/00 ,  C08K 3/22 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (7):
C08L 63/00 C ,  C08G 59/24 ,  C08G 59/30 ,  C08G 59/62 ,  C08K 3/00 ,  C08K 3/22 ,  H01L 23/30 R

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