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J-GLOBAL ID：200903067936986318

半導体装置の製造方法

Inventor： 上田 多加志
Applicant, Patent owner： シヤープ株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991256747
Publication number (International publication number)：1993102471
Application date： Oct. 03, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 納期を短縮できる上、基板の結晶性を完全に回復してMOSトランジスタのスタンバイリーク電流を低減できる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 シリコン基板1上にゲート絶縁膜7、ゲート電極4、層間絶縁膜5および図示しない電極配線を順に形成する。この後、上記層間絶縁膜5を通してゲート電極4の直下のチャネル領域8に水素イオンを注入し、続いて、水素雰囲気中で熱処理(いわゆるH2シンター)を行う。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上にゲート絶縁膜、ゲート電極、層間絶縁膜および電極配線を順に形成した後、上記層間絶縁膜を通して上記ゲート電極の直下のチャネル領域に水素イオンを注入し、続いて、水素雰囲気中で熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭60-084866
  
• 特開昭55-162240
  
• 特開平4-002163