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J-GLOBAL ID：200903067939917279

薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor： 中村 弘喜
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991304681
Publication number (International publication number)：1993145074
Application date： Nov. 20, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：

【要約】【目的】 低温プロセスでの製造が可能であり、量産性に優れ、しかも絶縁膜不良が極めて少ない薄膜トランジスタを得る。【構成】 基板上に形成された半導体薄膜からなるチャネル部およびソース・ドレイン部と、該半導体薄膜上に形成されたゲート絶縁膜とゲート電極とを順に有する薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜をアルキルシラン化合物と酸素を含むガスとの反応によって形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された半導体薄膜からなるチャネル部およびソース・ドレイン部と、前記半導体薄膜上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有する薄膜トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁膜がアルキルシラン化合物と酸素を含むガスとの反応によって形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/784 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/316