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J-GLOBAL ID：200903067941059964

自立基板およびその製造方法

Inventor： 大道 浩児 ,  佐久間 健 ,  細谷 英行
Applicant, Patent owner： 株式会社フジクラ
Agent (4)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003166463
Publication number (International publication number)：2005001928
Application date： Jun. 11, 2003
Publication date： Jan. 06, 2005
Summary：

【課題】電気的特性を改善した高品質なGaNからなる自立基板、および、この自立基板を1つの種基板上に複数積層して製造することが可能な自立基板の製造方法を提供する。【解決手段】GaN厚膜からなり、一方の面1aから測定した転位密度のデプス・プロファイルと、他方の面1bから測定した転位密度のデプス・プロファイルとが略同一である自立基板1。GaNからなる平板状の基材の上に、ZnO薄膜からなる中間層と中間層の上にGaN厚膜を順に複数回形成する工程Dと、複数の中間層を除去し、基材と複数のGaN厚膜とを分離する工程Eと、を少なくとも具備した自立基板の製造方法。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

窒化ガリウムの厚膜からなり、一方の面から測定した転位密度のデプス・プロファイルと、他方の面から測定した転位密度のデプス・プロファイルとが略同一であることを特徴とする自立基板。

IPC (1)：

C30B29/38

FI (1)：

C30B29/38 D

F-Term (10)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077ED06 ,  4G077EF04 ,  4G077FJ03 ,  4G077TB02 ,  4G077TC13 ,  4G077TC14 ,  4G077TK11