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J-GLOBAL ID：200903067976300931

超電導グランドプレーンを用いた回路基板及びその製造方法

Inventor： 波頭 経裕 ,  石丸 喜康
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998367525
Publication number (International publication number)：2000196156
Application date： Dec. 24, 1998
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】超電導グランドプレーンに接続する引出電極が基板表面に引き出された、平坦な表面を有する回路基板を酸化物超電導体を用いて作成する。【解決手段】耐エッチング層4をマスクとして酸化物超電導体からなる超電導グランドプレーン2上の絶縁層3に貫通孔3aを形成する工程と、耐エッチング層4を除去した後、絶縁層3及び超電導グランドプレーン2上に堆積する超電導体の超電導を示す転移温度を維持可能な温度に加熱して絶縁層3上から酸化物超電導体層5を堆積し、貫通孔3a内に酸化物超電導体層5を埋めこむ工程と、酸化物超電導体層5上に平坦化層を形成する工程と、絶縁層上の平坦化層6及び酸化物超電導体層5とを研磨し、又はエッチバックして絶縁層3を表出させ、表面を平坦化するとともに、貫通孔3aを通して超電導グランドプレーン2と接触する埋込導電層5aを形成する工程とを有する。

Claim (excerpt)：

酸化物超電導体からなる超電導グランドプレーンと、前記超電導グランドプレーン上に形成され、平坦な表面を有する絶縁層と、前記超電導グランドプレーンと接触し、前記絶縁層の貫通孔を通して該絶縁層の表面に露出している酸化物超電導体からなる埋込導電層とを備えてなることを特徴とする超電導グランドプレーンを用いた回路基板。

IPC (2)：

H01L 39/24 ,  H01L 39/02

FI (2)：

H01L 39/24 W ,  H01L 39/02 W

F-Term (16)：

4M113AD36 ,  4M113AD42 ,  4M113AD67 ,  4M113AD68 ,  4M113BA01 ,  4M113BA04 ,  4M113BA21 ,  4M113BA29 ,  4M113BC04 ,  4M113BC05 ,  4M113BC06 ,  4M113BC22 ,  4M113CA34 ,  4M114AA29 ,  4M114BB05 ,  4M114CC07