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J-GLOBAL ID：200903067988260927
チップ作製方法およびそのチップ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000246745
Publication number (International publication number)：2001330549
Application date： Aug. 16, 2000
Publication date： Nov. 30, 2001
Summary：
【要約】【課題】 試料の原子像を得ることができるチップ作製方法およびそのチップを提供すること。【解決手段】 まず、試料室に配置された水晶発振子2の先端にレーザー光を照射して、その先端部を850K程度に加熱する。そして、その状態で、図3(a)に示すように、細く集束された100keV程度の電子線を水晶発振子2の先端に照射する。すると、電子線が照射されたところの水晶はSiに還元されて、Si単結晶が得られる。そして、図3(b)、(c)に示すように、水晶発振子2の先端にレーザー光を照射した状態で、水晶発振子2上での電子線の径を徐々に大きくしていく。最終的には、図3(d)に示すように、水晶発振子2の先端部が完全に還元されて、その先端部にSi単結晶が形成される。そして、そのSi単結晶をたとえば水酸化カリウム水溶液に浸漬させて、先鋭化させる。
Claim (excerpt)：
水晶の先端部を還元させてSi結晶を形成し、そのSi結晶を先鋭化させてチップを作製することを特徴とするチップ作製方法。
IPC (4)：
G01N 13/16
, G12B 21/08
, H01L 41/09
, H01L 41/22
G01N 13/16 C
, G12B 1/00 601 D
, H01L 41/08 U
, H01L 41/22 Z
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (2)
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