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J-GLOBAL ID：200903067997665000

円筒状部材の内周面への被膜形成方法

Inventor： 杉山 修 ,  宮 行男 ,  小池 ▲龍▼太 ,  戸井田 孝志 ,  関根 敏一
Applicant, Patent owner： シチズン時計株式会社
Agent (1)： 大澤 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999259148
Publication number (International publication number)：2000080474
Application date： Oct. 15, 1996
Publication date： Mar. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】 各種ブッシュやピストンシリンダなど円筒部材の内周面に、中間層と硬質カーボン膜を均一な膜厚で形成し、内周面の耐摩耗性を飛躍的に向上させる。【解決手段】 真空槽13内に円筒状部材11を配置し、その内周面11bを形成する開口11a内に中間層材料からなる補助電極23を挿入する。そして、真空槽13内にスパッタガスを導入し、補助電極23に電圧を印加してその周囲にプラズマを発生させ、中間層材料をスパッタして円筒状部材11の内周面11bに中間層を形成する。その後、補助電極23を接地電位にして、真空槽13内にメタン等の炭素を含むガスを導入し、円筒状部材11に電圧を印加して真空槽13内にプラズマを発生させ、円筒状部材11の内周面11bの中間層上にプラズマCVD法により硬質カーボン(DLC)膜を形成する。

Claim (excerpt)：

円筒状部材の内周面に中間層を形成する中間層形成工程と、その中間層上に硬質カーボン膜を形成する硬質カーボン膜形成工程とからなり、前記中間層形成工程が、真空槽内に円筒状部材を配置するとともに、該円筒状部材の内周面を形成する開口内に、前記硬質カーボン膜に対する密着性を高める中間層を形成するための中間層材料からなる補助電極を挿入し、前記円筒状部材を接地又は浮遊電位にして、前記真空槽内を排気した後、該真空槽内にスパッタガスを導入し、前記補助電極に電圧を印加して前記円筒状部材の開口内の前記補助電極の周囲にプラズマを発生させ、該補助電極をなす中間層材料のスパッタにより前記円筒状部材の内周面に中間層を形成する工程であり、前記硬質カーボン膜形成工程が、前記中間層形成工程で使用した真空槽内に前記内周面に中間層を形成した円筒状部材を配置したまま、前記補助電極を接地電位にして、前記真空槽内に炭素を含むガスを導入し、前記円筒状部材に電圧を印加して前記真空槽内にプラズマを発生させ、該円筒状部材の内周面の前記中間層上にプラズマCVD法により硬質カーボン膜を形成する工程である、ことを特徴とする円筒状部材の内周面への被膜形成方法。