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J-GLOBAL ID：200903068002875615
X線露光マスク及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992046461
Publication number (International publication number)：1993251312
Application date： Mar. 04, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：
【要約】【目的】 位相シフト効果を利用し、X線露光の解像力を向上させる。【構成】 X線透過膜1上に二酸化ケイ素からなる位相シフタ4のパターンを形成する。その上に重金属のX線吸収体膜を形成し、異方性エッチングして、位相シフタ4の側壁部にのみ残す。
Claim (excerpt)：
X線吸収体パターン間にX線の位相をシフトさせる材料を挟み込んだ構造を特徴とするX線露光マスク。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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