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J-GLOBAL ID:200903068012917367

透明導電膜

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 西 義之
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998111891
Publication number (International publication number):1999302017
Application date: Apr. 22, 1998
Publication date: Nov. 02, 1999
Summary:
【要約】【課題】 液晶表示素子やプラズマ発光表示素子等の透明電極、太陽電池等の透明電極、赤外線吸収反射膜、防曇膜、電磁遮蔽膜等に利用される良好な電気伝導性と可視光透過性を有する透明導電膜。【解決手段】 インジウム(In)、アンチモン(Sb)、酸素(O)の3成分を主構成成分とし、欠陥蛍石型結晶構造を有する複酸化物であり、一般式:In3Sb1-XO7-δ(-0.2≦X≦0.2、および-0.5≦δ≦0.5の範囲である)で表される透明導電膜であり、さらにSn、Si、Ge、Ti、Zr、Pb、Cr、Mo、W、Te、V、Nb、Ta、Bi、As、Ceの高原子価金属元素、もしくはF、Br、Iのハロゲン元素から選ばれる少なくとも1種類以上の元素を0.01〜20原子%の割合でドープする。また還元アニールにより酸素空孔を生成させ、それによりキャリア電子を注入する。
Claim (excerpt):
インジウム(In)、アンチモン(Sb)、酸素(O)の3成分を主構成成分とし、欠陥蛍石型結晶構造を有する複酸化物であり、一般式:In3Sb1-XO7-δ(-0.2≦X≦0.2、および-0.5≦δ≦0.5の範囲である)で表される透明導電膜。
IPC (4):
C01G 15/00 ,  C01G 30/00 ,  G02F 1/1343 ,  H01B 5/14
FI (4):
C01G 15/00 B ,  C01G 30/00 ,  G02F 1/1343 ,  H01B 5/14 A

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