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J-GLOBAL ID：200903068015342292

超電導体膜及びその製造方法

Inventor： 一瀬 中 ,  松本 要 ,  堀出 朋哉 ,  向田 昌志 ,  吉田 隆 ,  堀井 滋 ,  喜多 隆介
Applicant, Patent owner： 財団法人電力中央研究所 ,  国立大学法人京都大学 ,  国立大学法人九州大学 ,  国立大学法人名古屋大学 ,  国立大学法人 東京大学 ,  国立大学法人静岡大学
Agent (2)： 栗原 浩之 ,  村中 克年
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006312038
Publication number (International publication number)：2008130291
Application date： Nov. 17, 2006
Publication date： Jun. 05, 2008
Summary：

【課題】臨界電流密度Jcが高く、かつ磁場角度依存性が小さい超電導体膜を提供する。【解決手段】一般式REBa2Cu3OX(式中、REはPr及びCeを除く希土類元素のうち、少なくとも1種の元素であり、6.5<X<7.1である)で表される超電導物質からなる超電導体層中に、Baを含む常電導物質からなり、膜厚方向に間欠的に並んだ柱状結晶が形成されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

一般式REBa2Cu3OX(式中、REはPr及びCeを除く希土類元素のうち、少なくとも1種の元素であり、6.5<X<7.1である)で表される超電導物質からなる超電導体層中に、Baを含む常電導物質からなり、膜厚方向に間欠的に並んだ柱状結晶が形成されていることを特徴とする超電導体膜。

IPC (5)：

H01B 13/00 ,  H01B 12/06 ,  C01G 1/00 ,  H01L 39/24 ,  C23C 14/08

FI (6)：

H01B13/00 565D ,  H01B12/06 ,  C01G1/00 S ,  H01L39/24 B ,  C23C14/08 N ,  C23C14/08 K

F-Term (27)：

4G047JC02 ,  4G047KD00 ,  4G047KE05 ,  4G047KF01 ,  4K029AA02 ,  4K029AA04 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BC04 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC15 ,  4M113BA04 ,  4M113CA34 ,  5G321AA02 ,  5G321AA04 ,  5G321BA07 ,  5G321CA02 ,  5G321CA03 ,  5G321CA13 ,  5G321CA21 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321DB34 ,  5G321DB35 ,  5G321DB37 ,  5G321DB39

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平4-016511
  
• ナノドットフラックス・ピン止めセンターを有する酸化物膜
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2006-549250   Applicant：アメリカン・スーパーコンダクター・コーポレーション
• YBCO被覆において高い臨界電流密度の改良された構造体
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2008-524055   Applicant：ロスアラモスナショナルセキュリティ,リミテッドライアビリテイカンパニー
• 特開昭64-003917
  
• 特開平4-292418