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J-GLOBAL ID：200903068020964781

光素子固定方法

Inventor： 中須賀 好典 ,  橋本 俊和 ,  山田 泰文 ,  照井 博
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 光石 俊郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995205493
Publication number (International publication number)：1997054229
Application date： Aug. 11, 1995
Publication date： Feb. 25, 1997
Summary：

【要約】【課題】 光導波路を有する基板上に薄膜半田を介して一つ又は複数の光素子を搭載する固定方法を提供する。【解決手段】 光導波路又は光ファイバを有する基板上に、一つ又は複数の光素子を光導波路又は光ファイバとの光結合を保ちつつ、薄膜半田を介して固定する方法において、基板と一つ又は複数の光素子を位置合わせする第1の工程と、基板と一つ又は複数の光素子を薄膜半田を介して圧力(P)を加え密着させる第2の工程と、光素子が密着された状態を保持しつつ初期密度温度(T0 )から半田リフロー以下の温度(仮固定温度)(T1 )まで昇温させる第3の工程と、仮固定終了温度(T2 )まで冷却する第4の工程と、密着のための圧力(P)を無くす工程とからなる第5の光素子仮固定工程を、搭載するすべての光素子に対して行い、その後、圧力のない状態で半田リフロー温度(T3 )まで昇温させる第6の工程と、固定終了後温度(T4 )まで冷却させて半田を硬化させ、素子を基板に固定する第7の工程とからなる。

Claim (excerpt)：

光導波路又は光ファイバを有する基板上に、一つ又は複数の光素子を光導波路又は光ファイバとの光結合を保ちつつ、薄膜半田を介して固定する方法において、基板と一つ又は複数の光素子を位置合わせする第1の工程と、基板と一つ又は複数の光素子を薄膜半田を介して圧力(P)を加え密着させる第2の工程と、光素子が密着された状態を保持しつつ初期密度温度(T0 )から半田リフロー以下の仮固定温度(T1 )まで昇温させる第3の工程と、仮固定終了温度(T2 )まで冷却する第4の工程と、密着のための圧力(P)を無くす第5の工程とからなる光素子仮固定工程を、搭載するすべての光素子に対して行い、その後、圧力のない状態で半田リフロー温度(T3 )まで昇温させる第6の工程と、固定終了後温度(T4 )まで冷却させて半田を硬化させ、素子を基板に固定する第7の工程とからなることを特徴とする光素子固定方法。

IPC (6)：

G02B 6/42 ,  H01L 21/603 ,  H01L 23/02 ,  H01L 31/0232 ,  H01S 3/133 ,  H01S 3/18

FI (6)：

G02B 6/42 ,  H01L 21/603 B ,  H01L 23/02 F ,  H01S 3/133 ,  H01S 3/18 ,  H01L 31/02 C