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J-GLOBAL ID：200903068064983465

薄膜積層体の製造方法および強誘電体薄膜素子の製造方法

Inventor： 櫻井 敦
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000270352
Publication number (International publication number)：2002083811
Application date： Sep. 06, 2000
Publication date： Mar. 22, 2002
Summary：

【要約】【課題】Si基板上に結晶性の良好なエピタキシャル強誘電体薄膜を形成させうる機能を持つバッファ層を備える薄膜積層体および強誘電体薄膜素子を提供する。【解決手段】Si基板上にエピタキシャル成長させたTAN薄膜上にさらに結晶性の良好なTiO2薄膜をエピタキシャル成長させることにより、その上に良好なエピタキシャル強誘電体薄膜を成長させる。

Claim (excerpt)：

Si基板上にTi(1-x)AlxN薄膜をエピタキシャル形成する工程と、Ti(1-x)AlxN薄膜上にTiO2薄膜をエピタキシャル形成する工程と、TiO2薄膜上に強誘電体薄膜をエピタキシャル形成する工程とを有してなる薄膜積層体の製造方法であって、前記TiO2薄膜をエピタキシャル形成する工程は、薄膜形成技術によりTi(1-x)AlxN薄膜上にTiO2薄膜を直接形成すること、または、Ti(1-x)AlxN薄膜を酸化処理することによりTiO2薄膜を形成することを特徴とする薄膜積層体の製造方法。

IPC (10)：

H01L 21/316 ,  C30B 29/16 ,  C30B 29/22 ,  C30B 29/38 ,  H01G 4/12 394 ,  H01G 4/12 397 ,  H01G 4/12 400 ,  H01L 21/203 ,  H01L 27/105 ,  H01G 4/33

FI (12)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 Y ,  C30B 29/16 ,  C30B 29/22 Z ,  C30B 29/38 Z ,  H01G 4/12 394 ,  H01G 4/12 397 ,  H01G 4/12 400 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 27/10 444 C ,  H01G 4/06 102

F-Term (62)：

4G077AA03 ,  4G077BB04 ,  4G077BC11 ,  4G077BE11 ,  4G077DA01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077HA06 ,  5E001AB06 ,  5E001AD04 ,  5E001AE00 ,  5E001AE03 ,  5E001AH03 ,  5E001AH08 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5E001AZ00 ,  5E082AB03 ,  5E082BB10 ,  5E082BC40 ,  5E082DD11 ,  5E082EE05 ,  5E082EE23 ,  5E082EE37 ,  5E082FF15 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082FG27 ,  5E082KK01 ,  5E082KK08 ,  5E082LL01 ,  5E082LL02 ,  5E082MM05 ,  5E082MM09 ,  5E082MM23 ,  5E082MM24 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BC20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD05 ,  5F058BD06 ,  5F058BF06 ,  5F058BF13 ,  5F058BF14 ,  5F058BF22 ,  5F058BF27 ,  5F058BJ01 ,  5F083JA02 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083PR22 ,  5F103AA08 ,  5F103DD27 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH08 ,  5F103LL14 ,  5F103NN01 ,  5F103RR05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• Si基板誘電体薄膜構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-195829   Applicant：新技術事業団
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-001899   Applicant：株式会社東芝
• 強誘電体薄膜及び強誘電体薄膜素子の製造方法、並びに強誘電体薄膜構造及び強誘電体薄膜素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-261379   Applicant：株式会社村田製作所, 金沢大学長
• 強誘電体薄膜素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-257969   Applicant：株式会社村田製作所
• 薄膜キャパシタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-280354   Applicant：株式会社東芝