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J-GLOBAL ID：200903068068288680
半導体集積回路装置およびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997207490
Publication number (International publication number)：1999054758
Application date： Aug. 01, 1997
Publication date： Feb. 26, 1999
Summary：
【要約】【課題】 インパクトイオン化で発生するチャネル領域に滞留する逆極性キャリアをMISFETの領域外にほぼ完全に逃がす。【解決手段】 支持基体1a、埋め込み酸化層1bおよびシリコン層1cからなるSOI基体1にnチャネルMISFETQnおよびpチャネルMISFETQpが形成され、シリコン層1cの主面に埋め込み酸化層1bに達するフィールド絶縁膜2aおよび埋め込み酸化層1bに達しないフィールド絶縁膜2bを形成し、フィールド絶縁膜2bの下層の埋め込み酸化層1bと支持基体1aとの界面領域を含む支持基体1aにバックゲートとして作用する不純物半導体領域14を設ける。不純物半導体領域14は、層間絶縁膜10、フィールド絶縁膜2aおよび埋め込み酸化層1bに開口された接続孔11dに形成されたバックゲート電極12dに接続され、負電位が印加される。
Claim (excerpt)：
半導体材料からなる支持基体と、前記支持基体上に形成された埋め込み酸化層と、前記埋め込み酸化層上に形成されたシリコン層とからなるSOI基体に形成されたMISFETを含む半導体集積回路装置であって、前記シリコン層の主面には、前記埋め込み酸化層に達する第1の分離領域と、前記埋め込み酸化層には達しない第2の分離領域とが形成され、前記第2の分離領域の下層の、前記埋め込み酸化層との境界領域を含む前記支持基体に、不純物半導体領域が形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2)：
FI (3)：
H01L 29/78 621
, H01L 29/78 301 X
, H01L 29/78 626 B
