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J-GLOBAL ID：200903068070453125

単結晶引上装置

Inventor： 高野 清隆 ,  布施川 泉 ,  山岸 浩利
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 山下 亮一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991298028
Publication number (International publication number)：1993105578
Application date： Oct. 17, 1991
Publication date： Apr. 27, 1993
Summary：

【要約】[目的] 高品位な単結晶を効率良く得ることができるとともに、ルツボの耐久性向上及びコストダウンを図ることができる単結晶引上装置を提供すること。[構成] 単結晶引上装置1のチャンバー2内の上部からパージチューブ7を吊り下げ、該パージチューブ7の下端に、その外周に上方に向かって広がる傾斜面8bを有する熱遮蔽リング8を取り付け、該熱遮蔽リング8に筒状の石英隔壁10を筒状保持具9を介して保持せしめる。メルト12Aからの輻射熱は熱遮蔽リング8の傾斜面8bで反射されて石英隔壁10とメルト12Aの界面付近を加熱するため、メルト12Aの固化が防がれ、単結晶15の育成速度が高められる。又、石英隔壁10はメルト12Aに部分的に浸漬されるため、短くて済み、これの熱変形が小さく抑えられるとともに、そのコストダウンが図られる。更に、メルト12Aの減少と共に石英隔壁10を下げれば、メルト12A中の酸素濃度を一定に保つことができる。

Claim (excerpt)：

チャンバー内に石英ルツボ、ヒーター等を収納して成る単結晶引上装置において、前記チャンバー内の上部からカーボン筒を上下動自在に吊り下げ、該カーボン筒の下端に、その外周に上方に向かって広がる傾斜面を有する熱遮蔽リングを取り付け、該熱遮蔽リングに筒状の石英隔壁を筒状保持具を介して保持せしめたことを特徴とする単結晶引上装置。

IPC (3)：

C30B 15/10 ,  C30B 15/02 ,  H01L 21/208

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-159985
  
• 特開昭64-065086
  
• 特開昭64-072984