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J-GLOBAL ID：200903068080332784

微細パターン形成材料並びにこれを用いた微細めっきパターン形成方法および半導体装置の製造方法

Inventor：
降▲旗▲ 智欣

About 降▲旗▲ 智欣

, 
加藤 英人

About 加藤 英人


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000206058
Publication number (International publication number)：2002023389
Application date： Jul. 07, 2000
Publication date： Jan. 23, 2002
Summary：
【要約】【解決手段】 1分子中に1つの縮合性メチロール基を有する化合物および水溶性高分子化合物を主成分とし、酸の存在により非架橋型の非水溶性化合物を生じることを特徴とする微細パターン形成材料。【効果】 本発明の微細パターン形成材料は、酸を供給可能なレジストパターン層とインターミキシングを発生することがなく、確実に微細なスペースパターンを形成することができて、微細めっきパターンおよび半導体装置の形成に好適に用いられ、またこの微細パターン形成材料は貯蔵安定性に優れたものである。
Claim (excerpt)：
1分子中に1つの縮合性メチロール基を有する化合物および水溶性高分子化合物を主成分とし、酸の存在により非架橋型の非水溶性化合物を生じることを特徴とする微細パターン形成材料。
IPC (4)：
G03F 7/40 511 ,  G03F 7/40 521 ,  C25D 5/02 ,  H01L 21/027
FI (4)：
G03F 7/40 511 ,  G03F 7/40 521 ,  C25D 5/02 E ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (21)：
2H096AA25 ,  2H096BA20 ,  2H096EA02 ,  2H096EA03 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA05 ,  2H096HA11 ,  2H096HA27 ,  2H096JA04 ,  4K024AA04 ,  4K024AA09 ,  4K024AA11 ,  4K024AA15 ,  4K024AB08 ,  4K024BB12 ,  4K024FA06 ,  4K024FA07 ,  4K024FA08
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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